一、基于正面光激励的LAPS控制和测试系统的研究（论文文献综述）
田书凯[1]（2019）在《像素化的钙钛矿晶体材料在X射线平板探测器中的应用研究》文中指出数字设备现在已经在许多X射线成像应用中引入,慢慢取代传统的照相胶片。实时成像和图像的快速处理,使得这些设备成为首选。但是,为了降低X射线对人体的伤害,就要在保证成像质量的前提下尽可能降低X射线的辐射剂量,因此需要对器件的性能做进一步的改善。本文基于晶硅多孔模板和有机无机杂化钙钛矿晶体材料研究了一种直接型X射线平板探测器。首先,为了获得有序的孔道阵列,对电阻率为2000-5000Ω·cm的N型单晶硅片在HF溶液中进行了电化学刻蚀,得到了孔径为50微米左右,深度几乎接近硅片厚度的孔道阵列。由于硅片厚度为500微米,所以孔道的纵横比很大。这种刻蚀技术也常用来制作其他亚微米级的微结构。刻蚀的原理是在阳极偏压下促使硅片中产生的空穴移动到界面处,从而使硅在HF溶液中溶解。文章中用到的硅片是N型硅片,由于空穴在N型硅中属于少子,所以,本文用150W的卤素灯光照射刻蚀区域来产生电子空穴对。其次,本文采用了化学原位转化法实现了有机无机杂化钙钛矿MAPbBr3晶体在硅基多孔模板中的生长填充。具体分为三步:第一步,利用熔融法将PbBr2粉末融化后通过毛细作用浸润填充硅基多孔模板;第二步,在硅片上面制作绝缘层;第三步,将MABr和填充了PbBr2的硅模板密封进真空石英管中。用170摄氏度加热密封好的石英管,使管中的MABr气化渗透进入模板孔道中的PbBr2,两者发生原位转化反应,最终在孔道中合成MAPbBr3钙钛矿晶柱。孔道中反应生成的钙钛矿晶柱的体积相比于孔道中填充的PbBr2体积会有所膨胀,这使得晶柱会突出硅片上表面几十微米。根据晶柱膨胀的高度可以衡量反应的完成程度,并进一步确定最佳的反应时间。反应完成后,对样品进行了物相表征,分别分析了样品的TGA、EDS、XRD,并测试了样品的可见光吸收光谱和PL,计算得出样品的禁带宽度为2.2eV。最后,利用真空镀膜工艺在样品背面和上表面分别制作了20-30nm的金电极,同时制作了一层PDMS透明电极和样品上表面的晶柱接触。之后测试了器件的电学性能,包括IV特性、X射线响应、灵敏度和响应速率。测得的数据显示:器件在-9V偏压下的暗电流非常低,只有3nA左右;器件在-1V至-9V的偏压下对不同强度的X射线均有较稳定的响应;X射线强度越低,器件的灵敏度越高,表明器件具有探测低剂量X射线的优势;另外,器件在瞬态下的响应时间只有1ms左右,说明该器件具有较快的X射线响应速率。
张宇[2]（2018）在《AlGaN基量子阱结构中的发光偏振特性及调控研究》文中指出为了实现高性能AlGaN深紫外发光二极管的结构设计,减少电子泄漏,提高空穴注入,优化载流子的分布,提高正面出光效率。本文围绕深紫外发光二极管所必须解决的发光特性问题,通过优化AlGaN发光二极管结构设计来提升器件性能,具体开展的研究工作如下:（1）通过APSYS软件设计了Al组分缓变的新型AlGaN量子阱结构。对比采用传统结构与Al组分渐变的量子阱结构,研究不同的量子阱Al组分变化方式对器件性能的影响。结果表明,采用Al组分渐变的量子阱结构能够显着减少量子阱间因AlGaN材料的强极化效应导致的电子空穴波函数分离,减少量子阱中的平均电场强度,实现更有效的载流子复合,显示出良好的器件性能。在此基础上我们又进一步设计Al组分缓变量子阱结构,分析表明,缓变Al组分量子阱结构不仅具备渐变结构的优点而且能够显着提高电子阻挡层的势垒高度,从而减小电子泄漏,提高空穴的注入效率,因此深紫外发光二极管的器件性能得以进一步提升。（2）通过APSYS软件设计了宽台阶状末层量子垒（LQB）。对比采用传统结构与宽末层量子垒结构,研究宽台阶状末层量子垒对AlGaN深紫外发光器件的性能影响。仿真结果表明,采用更宽的台阶状末层量子垒的设计可以显着提高器件的内量子效率以及发光功率。器件性能显着提升的主要原因是相比传统的10nm固定Al组分AlGaN末层量子垒,20nm的AlGaN末层量子垒特别是两层台阶状末层量子垒由于在靠近电子阻挡层的台阶层Al组分较低因此可以有效提高AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度,从而增强电子在有源区的限制,减少电子的泄漏,并且价带中更低的势垒高度也有利于空穴的注入和传输,因而提高载流子辐射复合速率,改善器件综合性能。（3）通过APSYS软件设计和模拟了非对称台阶状末层量子垒（LQB）结构,对比采用了传统结构和宽度更大的末层量子垒结构,研究非对称台阶状末层量子垒结构对深紫外发光二极管性能的影响,模拟结果表明非对称台阶末层量子垒可有效提高电子阻挡层的有效势垒高度,同时降低空穴的有效势垒高度,因此可以强化对有源区电子的限制作用,增加空穴的有效注入与传输效率,表现出良好的器件性能。深入分析表明,当组分更高的台阶层厚度较小时,其量子阱中有着更小的平均电场强度,减少了阱中电子空穴波函数的分离,实现更合理的载流子分布调制,提高了电子和空穴的有效辐射复合率,从而显着提高器件的光电性能。
周宪靖[3]（2017）在《超导太赫兹辐射源物性与调控研究》文中研究说明高温超导本征约瑟夫森结阵（Bi2Sr2CaCu2O8单晶）制备了成的超导太赫兹辐射源因其特殊的器件特性,如其辐射波为连续波、辐射频率连续可调、频段适中、功率可观等,而越来越受到研究人员的关注,也有望成为适合实际应用的连续波太赫兹辐射源,并促进太赫兹技术的发展。在对超导太赫兹辐射源的研究过程中,我们在国际上首创了集成超导太赫兹辐射源辐射特性测试和低温扫描激光显微镜成像测试的综合测试系统。该系统可同时检测超导太赫兹辐射源的外部辐射特性和器件内部的电磁能量分布以及温度分布。此套测试系统极大地帮助我们加深了对超导太赫兹辐射源器件物理的理解,并帮助改进超导太赫兹辐射源的设计、提升超导太赫兹辐射源的性能。利用该综合测试系统,我们研究了辐射源器件的辐射特性与器件内部电磁驻波的关系。在器件辐射功率达到峰值时,我们在器件内部测得了满足谐振模式与频率关系的驻波图案,得出了器件中电磁谐振增强辐射功率的结论。在通过综合测试系统理解了辐射源的器件物理后,我们针对实际应用的需求,设计和制备了原创结构的超导太赫兹辐射源,同时也提出了改善太赫兹辐射源辐射特性的外部调节技术。针对实际应用对太赫兹辐射源提出的调控需求,我们设计了 "三端-独立"结构超导太赫兹辐射源。有别于传统的超导太赫兹辐射源,该种结构的超导太赫兹辐射源具有三个电极。采用特殊的电流偏置方式,能够在超导太赫兹辐射源内部产生可以移动的高温热区。通过控制辐射源内部高温热区的位置,在总偏置电流固定的情况下,辐射频率可调范围为8%;在电流偏置比例固定的情况下,辐射频率可调范围为10%-20%。因此,通过这种器件结构,我们实现了调控超导太赫兹辐射源辐射特性的目的。此外,受器件焦耳热产生的高温热区能影响超导太赫兹辐射源辐射特性这一特殊物理现象的启发,我们提出了使用外部热源激励辐射源器件,进而调谐辐射源辐射特性的调控方案。我们采用聚焦的激光束来调控辐射源器件后,辐射源的功率可在100%-175%之间连续调节。通过研究激光束调控后的辐射功率与激光的位置以及激光光强等因素之间的关系,我们得到了聚集激光束作为额外热源对超导太赫兹辐射源的调控机制,并能可控地使用激光束调谐超导辐射源。综上,通过设计、搭建原创的测试系统,我们研究了超导太赫兹辐射源中的多种物理现象,并由此提出、实现了创新结构的超导太赫兹辐射源器件和创新的太赫兹辐射源的外部调谐方案,以满足实际应用对太赫兹辐射源调控方面的需求。
孙颖,朱大中[4]（2016）在《SOI槽隔离光寻址电位传感器设计与研究》文中认为提出新型隔离结构的光寻址电位传感器（LAPS）阵列.该传感器采用P型绝缘体上的硅（SOI）衬底,利用SOI顶硅层中的硅隔离槽结合重掺杂P+区进行相邻阵列单元的隔离.SOI LAPS阵列的ISE-TCAD仿真结果表明,与传统的厚氧隔离和重掺杂隔离方法相比,槽隔离结构可以有效地改善相邻阵列单元的噪声隔离特性.重掺杂隔离LAPS阵列传感器的隔离度为3.5dB,槽隔离LAPS阵列传感器的隔离度可达180dB.样品实测结果表明,隔离槽和P+双重隔离结构SOI LAPS阵列传感器的隔离度为97.23dB,厚氧和P+双重隔离结构的硅基LAPS阵列传感器隔离度仅为16.48dB.研究数据证明,SOI隔离槽结合P+双重隔离结构具有更好的噪声抑制特性,能够阻止相邻阵列单元的衬底噪声耦合以及来自非敏感区的信号干扰.
卢时洋[5]（2014）在《有机晶体回音廊激光器的制备与特性研究》文中指出有机固体激光器因具有潜在的可调性，灵活性，高相容性和易于与塑料光电子产品相接而受到相当大的关注。在共轭聚合物和低聚物领域中已有关于光抽运激光器的报道。然而，对于电子泵浦有机激光器，仍然存在很多问题。其中之一是由于无序非晶材料的低载流子迁移率，电子驱动激光器的门限电流密度在达到预计值之前就会将有机器件损坏。按照载流子运输和电荷注入的观点，晶体有机半导体被认为是制作电子泵浦有机激光器最有前景的材料之一。因此，研究晶体有机半导体光泵激光器对以后的输入研究具有很重要的意义。对于激光器的组成器件，必须存在谐振腔结构来提供正面光反馈。因此在加工过程中还面临着一定的挑战，基于有机晶体制作激光器的研究工作还很少。本论文中，我们首次利用有机晶体来制作回音廊模式（WGM）微腔激光器。在制备过程中，首先利用物理气相传输法制备BP1T有机片状晶体，随后通过改进的超精细加工工艺在晶体上形成一系列特定尺寸的圆盘形微腔，得到高质量的BP1T回音廊模式微腔激光器。在400nm脉冲激光器激励下，测量了微盘激光器的荧光激射光谱，并观察到了一系列尖锐的共振峰，测量了激光阈值。随后详细讨论了微腔的尺寸依赖特性及稳定性。最后经过分析计算得到群折射率，证明了这些激射峰来自于微腔的WGM激射。在实际应用中，急需解决的一个问题就是当有机材料暴露在空气环境时，有机材料的光学或者电学激射性能产生快速衰退。在这里，我们提出用于有机晶体器件的封装结构。使用PDMS作为封装材料，通过简单的封装处理，在不降低激光性能的同时，延长了激光器件的使用寿命。PDMS材料的折射率大概是1.42，相比空气折射率高了很多，但是在实验中，PDMS封装的圆盘激光器依然展现出良好的激光性质。
列光华,列淦文,何小宁[6]（2011）在《菠萝树叶光声层析光谱及其光合作用效率的研究》文中研究说明[目的]探讨用非损伤的光声层析光谱技术实时控制培育林苗成长的有效途径。[方法]采摘菠萝树叶绿色叶片和黄色叶片为试材,按光声池样品室大小切下靠中间的菠萝树绿叶片和黄叶片的叶小片,分别放进相应的光声池,应用归一化光声层析光谱试验装置,选用斩波频率24 Hz和34 Hz,时间常数3 s,分层进行光声层析光谱扫描,测量菠萝树绿叶正面和绿叶反面以及黄叶正面的光声层析光谱及其光学特性。[结果]菠萝树叶在特定调制频率时能提高光合作用效率。黄叶的叶绿体数量比绿叶少,黄叶比绿叶的光合作用明显减弱。菠萝树叶叶绿体数量越多,其光合作用越强,光合作用效率越高。[结论]应用归一化光声层析光谱试验装置测量菠萝树叶光声层析光谱是可行的。
刘霖[7]（2009）在《激光腐蚀/刻蚀技术研究》文中进行了进一步梳理激光诱导液相腐蚀是利用激光在单色性、方向性、高亮度上的独特优势,以激光对材料的光子效应和热效应为基础,辅助材料的液相腐蚀进程,从而满足材料的刻蚀需要。激光诱导液相腐蚀与普通化学腐蚀相比,可以有效地消除晶体取向影响,制作出更加多样化的腐蚀图形；与激光诱导气相腐蚀相比,其工艺条件更加容易实现,操作更加简单；与干法离子刻蚀相比,对基片无离子损伤,过度腐蚀容易控制,成本低。正因如此,激光诱导液相腐蚀技术逐渐成为国内外学者研究的热点之一。因影响半导体激光诱导液相腐蚀效果的因素很多,要得到理想的腐蚀图样以及监控腐蚀进程有着很大的技术难度,至今没有得到有效解决。本文的工作就是围绕激光诱导液相腐蚀技术而开展的,主要的研究结果与创新之处如下：1)以激光诱导液相腐蚀技术为主线,以实现其应用为最终目的,深入开展基本原理、实时监测、加工工艺和器件应用四个层面的研究,搭建有效的激光诱导液相腐蚀研究体系。激光诱导液相腐蚀是典型的交叉学科技术,它以激光技术为基础,涉及到包括化学、材料等众多领域,知识背景复杂,使得现阶段激光诱导液相腐蚀的基本原理、加工工艺水平、实时监控以及实际应用等方面均存在急待解决的问题。因各个层面之间互相关联,独立研究很难达到推动实际应用的目的,本论文选择以搭建激光诱导液相腐蚀体系为切入点,开展广泛而深入的研究,成为本论文的主要特色之一。2)提出了利用红外热像实时监测,系统研究了激光诱导液相腐蚀进程中的腐蚀溶液的热环境分布、变化等特征,使温度这一影响激光诱导液相腐蚀的重要因素得以有效表征。温度是影响化学反应进程的重要因素之一。在激光诱导液相腐蚀的进程中,激光、化学反应热等因素均对反应的实际温度有很大的影响,加之热对流、热传导、热辐射等因素的存在,使得深入了解激光诱导液相腐蚀的热环境、分布特征成为难题。本论文提出利用红外热像实时监测,将温度差异引起的热辐射能转化为相应的红外可见图像,记录、储存并进行处理分析,获得需要的监测结果,并积极探索腐蚀进程、腐蚀速率、粗糙度等与红外热图像之间的内在联系。3)提出了获得材料反应启动时长（刻蚀材料与腐蚀溶液从开始接触到腐蚀开始的时间间隔）的测量方法,并对不同材料、不同腐蚀液浓度下的化学反应启动时长进行了实验研究,获得了有价值的实验结果。不断提高刻蚀速率,被普遍认为是湿法刻蚀技术持续发展的根本所在,因为,与干法刻蚀技术相比,只有不断提高刻蚀速率,才能克服横向腐蚀等缺陷,进一步突出其应用面广、成本低、选择腐蚀性能好等优势。随着刻蚀速率的不断提高,对时间的控制精度要求也越来越高,化学反应启动时长的存在,对快速刻蚀的时间控制而言,有着较大影响,已经不容忽视。但至今仍缺乏有效的技术手段对反应启动时长进行测定,往往对其进行大致估计或完全忽略,这一缺失,将最终制约快速刻蚀技术的进一步发展。本论文从化学反应过程伴随热生成这一现象,在对材料表面腐蚀液滴及腐蚀液膜红外辐射特性深入研究的基础上,利用红外热像实时监测系统,对竖直材料表面滑动液滴残留线形液膜进行红外灰度实时采集,从中成功获得了反应启动时长的相关信息。4)提出了包括抗蚀膜掩蔽法、次序选择腐蚀法、电极腐蚀法和两步腐蚀法在内的激光辅助液相腐蚀系列方法,并通过对加工方法的选择,实现了在不同材料刻蚀上的成功应用,取得了较理想的刻蚀效果。工艺技术研究是决定激光诱导液相腐蚀实际应用效果的关键环节之一。本论文以大量的实验研究为基础,并结合理论分析,最终建立了以抗蚀膜掩蔽法、次序选择腐蚀法、电极腐蚀法和两步腐蚀法为主的激光辅助液相腐蚀系列方法。抗蚀膜掩蔽法是在基片表面不需要腐蚀的区域用抗蚀膜覆盖,激光照射在无抗蚀膜区域,对基片进行腐蚀；电极腐蚀法是通过外加电压在溶液中形成腐蚀电流,促使中间离子产物脱离基片表面；次序选择腐蚀法是针对混合溶剂的使用先后顺序进行选择；两步腐蚀法是利用材料不同方向上刻蚀速度的差异,延长或缩短相应的刻蚀时间。在实际的刻蚀工艺中,可根据不同的需求,确定一种或多种工艺方法,本论文为阐述需要,对各种工艺进行独立分析。经理论分析和实验验证,以四种工艺为基础的系列方法,可以满足绝大多数刻蚀需要并取得较理想的刻蚀效果。5)以半导体激光诱导液相腐蚀技术为工艺基础,提出并设计了一种满足全方位自对准的圆孔型探测器；同样,以高温超导薄膜的激光诱导液相腐蚀工艺为基础,提出、设计、制作并测试了一种光控高温超导衰减器。激光诱导液相腐蚀在器件制作上的应用及其性能研究有着重要意义。本论文结合器件实际应用背景的需要,发挥激光诱导液相腐蚀技术的优势,提出了一种满足全方位自对准的圆孔型探测器,以及一种实现精确信号衰减的光控高温超导衰减器。据我所知,在国内、外文献中,均未见有关材料反应启动时长红外测量方法、液层下材料表面粗糙度表征、圆孔型探测器、激光腐蚀系统工艺方法、光控高温超导衰减器、激光化学腐蚀热环境监测等内容的报道。
戴春祥,孙颖,朱大中[8]（2008）在《阵列化LAPS的结构设计及特性研究》文中研究指明为了降低阵列化光寻址电位传感器（LAPS Array）非敏感区域的噪声干扰,提出一种新的结构,对非敏感区域进行重掺杂,并在其表面生长厚氧化层。用同样的激光束照射,非敏感区域的光电流比敏感区域降低20dB以上。针对阵列化LAPS的特点,研究了电极位置变化、光源强度变化对测量结果的影响。给出了阵列化LAPS在不同应用中电极位置设置的建议,同时表明用LED作为阵列化LAPS的激励光源是合理的。
戴春祥[9]（2008）在《光寻址电位传感器新结构的研究》文中研究表明光寻址电位传感器（Light-Addressable Potentiometric Sensor,LAPS）由于具有灵敏度高、电位稳定性好、响应快、制作简单、“光可寻址”等多种优点,所以一经提出就很快引起了各国研究人员的广泛研究。本文首先将从LAPS理论方面的研究、LAPS器件结构的研究、LAPS的集成化发展、阵列化LAPS的研究、LAPS测试方法的研究等方面阐述LAPS的研究现状,对LAPS的发展有一个总体的认识。接着本文将主要从敏感膜/电解质溶液的固-液界面电势理论、半导体的光学特性、半导体的表面电场效应等方面较为详细地介绍LAPS的工作原理,同时本文还将对EIS型LAPS的等效电路模型进行总结分析,并将着重分析光电流的组成。在器件设计中,本文将提出一种新结构阵列化LAPS芯片。由于阵列化LAPS一般采用LED阵列作为激励光源,而LED的发散角较大,所以在实际应用中难以避免有部分光线会照射在各敏感区域之间的非敏感区域上。此处产生的信号将作为一种噪声被引入,减小这种噪声的影响是阵列化LAPS设计和应用中必须考虑的问题。现有文献中,主要是通过在非敏感区域覆盖诸如聚酰亚胺、光刻胶等某种介质层或生长厚氧化层来解决此问题,但是它们都存在着一定的局限性。本文提出的新结构阵列化LAPS芯片,在制造过程中对芯片的非敏感区域进行重掺杂,同时在其表面生长厚氧化层,用双重措施抑制非敏感区域引入的噪声。实验中用直径只有几十微米的激光束分别正面照射芯片的敏感区域和非敏感区域,然后比较两者特性曲线斜率最大值点对应的光电流。结果显示非敏感区域的光电流大小不到敏感区域的-20dB,体现出了较好的噪声抑制性能。此外本文还将对LAPS的一些特性进行研究,包括电极位置变化、光源强度变化、氧化层厚度变化、光源调制频率变化等对测量结果的影响。通过分析上述各种因素对LAPS测量结果的影响,给出了优化LAPS设计的一些建议。
顾丽波,韩泾鸿,崔大付,徐磊[10]（2004）在《基于正面光激励的LAPS控制和测试系统的研究》文中提出光寻址电位传感器（LAPS）是一种用于进行生物化学多参数测量的传感器系统。介绍一种采用激励光源正面照射的电化学三电极测量的LAPS控制和测试系统。该系统采用新型的可替换式LAPS芯片和新型的流通池;巧妙地在光输入窗内表面引入网格状Pt薄膜,起着与芯片平行的辅助电极以及耦合阵列光源的光栅作用。实验结果表明正面光照的光电流是背面光照的4倍,文中还讨论了光电流回路阻抗对光电流的影响。
二、基于正面光激励的LAPS控制和测试系统的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、基于正面光激励的LAPS控制和测试系统的研究（论文提纲范文）
（1）像素化的钙钛矿晶体材料在X射线平板探测器中的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 X射线探测器的发展历史 |
| 1.2.1 X射线胶片成像和X射线影像增强技术 |
| 1.2.2 平板X射线图像探测器 |
| 1.2.3 基于a-Se的直接型X射线平板探测器及其暗电流问题 |
| 1.3 钙钛矿材料的优势及本文的研究内容 |
| 1.3.1 钙钛矿材料的优势 |
| 1.3.2 本文的研究内容 |
| 2 制作硅片深孔阵列模板 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 制作硅片倒金字塔阵列模板 |
| 2.2.1 硅片光刻 |
| 2.2.2 BOE刻蚀 |
| 2.2.3 KOH湿法刻蚀 |
| 2.3 制作硅片背电极 |
| 2.3.1 AZO法 |
| 2.3.2 lift-off法 |
| 2.4 电化学刻蚀 |
| 2.4.1 硅的电化学刻蚀原理简介 |
| 2.4.2 实验设置和孔道形成机制 |
| 2.4.3 J-V特性曲线分析 |
| 2.5 分析多种因素对刻蚀结果的影响 |
| 2.5.1 硅片电阻率和取向 |
| 2.5.2 电流密度 |
| 2.5.3 施加的偏压 |
| 2.5.4 HF浓度对刻蚀效果的影响 |
| 2.5.5 样品表面的均一性对刻蚀效果的影响 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 制作硅基像素化钙钛矿晶柱阵列 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 熔融溴化铅填充硅基多孔模板 |
| 3.3 制作窗口绝缘 |
| 3.3.1 负胶对版光刻 |
| 3.3.2 电子束真空蒸镀二氧化硅绝缘层 |
| 3.4 合成钙钛矿晶柱阵列 |
| 3.4.1 高温真空封管 |
| 3.4.2 化学气相原位转换 |
| 3.4.3 物相表征和光电性能测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 像素结构的钙钛矿X射线平板探测器的制作及性能测试 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 制作电极 |
| 4.3 电学性能测试 |
| 4.3.1 I-V测试 |
| 4.3.2 X射线响应 |
| 4.3.3 X射线响应灵敏度 |
| 4.3.4 X射线瞬态响应 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 论文的总结及展望 |
| 5.1 论文的总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
（2）AlGaN基量子阱结构中的发光偏振特性及调控研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 紫外LED的研究进展 |
| 1.3 紫外LED的研究瓶颈 |
| 1.4 本论文的主要研究工作 |
| 第2章 深紫外发光二极管的研究基础 |
| 2.1 IQE与电流密度的依赖性关系 |
| 2.2 LEE与偏振特性的依赖性关系 |
| 2.3 制备工艺及检测与分析系统 |
| 第3章 缓变Al组分量子阱DUV-LED性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 缓变Al组分量子阱结构对DUV-LED发光性能的影响 |
| 3.3 缓变Al组分量子阱结构影响DUV-LED发光性能的物理机制 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 台阶状末层量子垒DUV-LED性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 台阶状末层量子垒结构对DUV-LED发光性能的影响 |
| 4.3 台阶状末层量子垒结构影响DUV-LED发光性能的物理机制 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 非对称台阶末层量子垒DUV-LED性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 非对称台阶末层量子垒结构对DUV-LED发光性能的影响 |
| 5.3 非对称台阶末层量子垒结构影响DUV-LED发光性能的物理机制 |
| 5.4 本章小结 |
| 全文总结 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术成果 |
| 致谢 |
（3）超导太赫兹辐射源物性与调控研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 超导电性 |
| 1.1.1 零电阻和抗磁性 |
| 1.1.2 超导体类别 |
| 1.1.2.1 转变温度分类 |
| 1.1.2.2 抗磁性分类 |
| 1.1.3 超导电磁特性 |
| 1.1.3.1 伦敦唯像方程 |
| 1.1.3.2 宏观物质波函数 |
| 1.1.4 约瑟夫森结 |
| 1.1.4.1 RCSJ模型 |
| 1.1.4.2 弱连接种类 |
| 1.1.4.3 本征约瑟夫森结 |
| 1.2 太赫兹波 |
| 1.2.1 麦克斯韦方程 |
| 1.2.2 电磁频谱 |
| 1.2.3 太赫兹技术 |
| 1.2.3.1 太赫兹应用领域 |
| 1.2.3.2 太赫兹技术手段 |
| 1.2.4 太赫兹辐射源 |
| 1.2.4.1 倍频辐射源 |
| 1.2.4.2 量子级联激光器 |
| 1.3 超导太赫兹辐射源 |
| 1.3.1 发展状况 |
| 1.3.2 辐射源器件物理 |
| 1.3.2.1 器件伏安特性与辐射特性 |
| 1.3.2.2 高偏热区 |
| 1.3.2.3 电磁驻波 |
| 1.3.2.4 热表现 |
| 1.3.3 辐射源器件结构 |
| 1.3.3.1 谐振结构 |
| 1.3.3.2 环境结构 |
| 1.3.3.3 电极结构 |
| 1.3.4 辐射源器件应用 |
| 1.3.4.1 太赫兹成像 |
| 1.3.4.2 材料检测 |
| 1.3.5 待解决问题和发展方向 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 制备工艺 |
| 2.1.1 BSCCO单晶 |
| 2.1.2 一般制备过程 |
| 2.1.3 制备设备 |
| 2.2 低温设备 |
| 2.2.1 氦流恒温器 |
| 2.2.2 制冷机 |
| 2.3 器件特性测试 |
| 2.3.1 LabVIEW程序 |
| 2.3.2 伏安特性 |
| 2.3.3 功率检测 |
| 2.3.4 频率干涉仪 |
| 2.4 微型低温扫描激光显微镜 |
| 2.4.1 辐射测试系统 |
| 2.4.2 光学系统 |
| 2.4.3 位移系统 |
| 2.5 总结 |
| 第三章 太赫兹辐射与驻波 |
| 3.1 器件辐射特性 |
| 3.1.1 30K时辐射特性 |
| 3.1.2 辐射特性与浴温关系 |
| 3.2 驻波模式 |
| 3.3 辐射峰与驻波关系 |
| 3.4 总结 |
| 第四章 "三端-独立"超导太赫兹辐射源 |
| 4.1 器件结构 |
| 4.1.1 结构特点 |
| 4.1.2 制备细节 |
| 4.2 器件工作方式 |
| 4.2.1 电极定义 |
| 4.2.2 偏置策略 |
| 4.3 热区调控 |
| 4.4 辐射调控 |
| 4.5 总结 |
| 第五章 激光调控 |
| 5.1 器件特性 |
| 5.1.1 伏安特性与辐射特性 |
| 5.1.2 热区特性 |
| 5.1.3 辐射特性与温度关系 |
| 5.2 调控方式 |
| 5.3 调控效果 |
| 5.3.1 调控效果与激光位置关系 |
| 5.3.2 调控效果与偏置电流关系 |
| 5.3.3 调控效果与激光功率关系 |
| 5.4 调控机理 |
| 5.4.1 激光激励致器件电压变化 |
| 5.4.2 辐射功率、器件电压与浴温关系 |
| 5.4.3 激励位置与热区关系 |
| 5.5 总结 |
| 结论 |
| 博士期间发表论文 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（4）SOI槽隔离光寻址电位传感器设计与研究（论文提纲范文）
| 1 LAPS阵列传感器结构设计与制造 |
| 2 LAPS阵列传感器特性研究 |
| 2.1 LAPS阵列传感器隔离特性仿真 |
| 2.2 LAPS阵列传感器隔离特性测试 |
| 3 结语 |
（5）有机晶体回音廊激光器的制备与特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 有机晶体激光的研究进展 |
| 1.2.1 有机晶体激光材料的研究现状 |
| 1.2.2 有机晶体激光特性研究 |
| 1.3 课题研究目的和论文主要研究内容 |
| 1.3.1 课题研究目的 |
| 1.3.2 本文的设计思路 |
| 第二章 高质量 BP1T 有机晶体的生长制备 |
| 2.1 常用的几个制备高质量有机晶体的方法 |
| 2.2 物理气相传输法 |
| 2.2.1 物理气相传输法制备 BP1T 有机晶体 |
| 2.2.2 BP1T 晶体结构 |
| 第三章 有机晶体回音廊激光器阵列的制备与激光性质研究 |
| 3.1 有机晶体的微盘阵列的加工制备 |
| 3.1.1 改进的有机晶体加工工艺 |
| 3.1.2 有机晶体微盘阵列 |
| 3.2 有机晶体的微盘光谱激射性质的表征 |
| 3.2.1 有机晶体的微盘表征系统 |
| 3.2.2 BP1T 有机晶体微盘激射与激射阈值 |
| 3.2.3 激光阈值与微盘尺寸依赖特性 |
| 3.3 WGM 模式理论分析 |
| 3.4 BP1T 有机晶体微盘其他性质测试 |
| 第四章 PDMS 包覆的有机晶体 WGM 模式激光器 |
| 4.1 PDMS 包覆有机晶体制备方法 |
| 4.2 PDMS 封装下有机晶体的微盘光谱激射性质 |
| 4.3 PDMS 封装前后有晶体微盘的激光性质的对比 |
| 4.4 PDMS 封装的有机晶体的微盘的激光稳定性研究 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（7）激光腐蚀/刻蚀技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究意义及背景 |
| 1.2 技术研究进展 |
| 1.2.1 激光微细加工的技术研究进展 |
| 1.2.2 激光化学的技术研究进展 |
| 1.2.3 激光辅助腐蚀的技术研究进展 |
| 1.3 基本理论基础 |
| 1.3.1 光化学理论与定律 |
| 1.3.2 半导体工艺中的激光化学 |
| 1.3.3 热对流与热传导 |
| 1.3.4 红外辐射 |
| 1.4 课题来源及论文的主要工作 |
| 第二章 激光化学腐蚀热环境的红外监测 |
| 2.1 实验装置与方法 |
| 2.2 深腐蚀液层的红外热像分析 |
| 2.2.1 激光化学腐蚀进程的红外热像特征 |
| 2.2.1.1 竖直方向的热分布特征 |
| 2.2.1.2 水平方向的热分布特征 |
| 2.2.1.3 热分布的二维及三维特征 |
| 2.2.2 腐蚀液浓度对激光化学腐蚀进程红外热像的影响 |
| 2.2.2.1 溶液浓度对竖直方向热分布的影响 |
| 2.2.2.2 溶液浓度对水平方向热分布的影响 |
| 2.2.2.3 溶液浓度对热分布影响的二维及三维特征 |
| 2.3 浅腐蚀液层的红外实时监测 |
| 2.3.1 研究方法与实验装置 |
| 2.3.2 粗糙度与红外灰度标准差关系 |
| 2.3.3 结果与讨论 |
| 2.3.3.1 红外热像的空间分布与灰度数值特征 |
| 2.3.3.2 红外灰度数值的归一化标准差 |
| 第三章 湿法化学腐蚀反应启动时长的测试方法研究 |
| 3.1 测试装置设计与测试方法 |
| 3.2 材料表面腐蚀液滴的红外辐射特性研究 |
| 3.2.1 研究意义与方法 |
| 3.2.2 GaAs表面静止状态H_2SO_4-H_2O_2-H_2O液滴的红外辐射特性 |
| 3.2.3 缓慢运动(1mm/s)H_2SO_4-H_2O_2-H_2O液滴的红外辐射特性 |
| 3.2.4 快速运动(0.5 m/s)H_2SO_4-H_2O_2-H_2O液滴的红外辐射特性 |
| 3.3 湿法腐蚀反应启动时长的测定研究 |
| 3.3.1 GaAs表面H_2SO_4-H_2O_2-H_2O运动液滴残留线形液膜的红外热像 |
| 3.3.2 GaAs与H_2SO_4-H_2O_2-H_2O反应启动时长的测定 |
| 3.3.3 H_2SO_4-H_2O_2-H_2O浓度对GaAs反应启动时长的影响 |
| 3.3.4 YBCO薄膜表面H_3PO_4-H_2O液滴残留线形液膜的红外热像 |
| 3.3.5 YBCO超导薄膜与H_3PO_4反应启动时长的测定 |
| 第四章 激光诱导液相腐蚀加工工艺技术研究 |
| 4.1 激光诱导液相抗蚀膜掩蔽法 |
| 4.1.1 基本方法及实验装置 |
| 4.1.2 腐蚀孔侧壁垂直度和底面均匀性改善的理论分析 |
| 4.1.3 正性光刻胶抗激光化学腐蚀性能研究 |
| 4.1.4 应用抗蚀膜掩蔽法实现圆弧形边缘区域控制 |
| 4.1.5 抗蚀膜掩蔽法中的横向腐蚀 |
| 4.2 激光诱导液相次序选择腐蚀法 |
| 4.2.1 基本方法及实验装置 |
| 4.2.2 次序选择腐蚀法对腐蚀生成图样的改善 |
| 4.2.3 GaAs基片的H_2O_2化学腐蚀 |
| 4.2.4 次序选择腐蚀法提高基片的激光腐蚀表面均匀性 |
| 4.2.5 次序选择腐蚀缩短激光化学腐蚀时间 |
| 4.2.6 次序选择腐蚀法的腐蚀电流表征 |
| 4.3 激光化学诱导液相电极腐蚀法 |
| 4.3.1 基本方法及实验装置 |
| 4.3.2 电极腐蚀法对腐蚀生成图样的改善 |
| 4.3.3 电极腐蚀法对激光诱导液相腐蚀表面均匀性的改善 |
| 4.3.4 电极腐蚀法对激光诱导液相腐蚀速率的提高 |
| 4.3.5 电极腐蚀法提供激光化学腐蚀进程的电流表征 |
| 4.3.6 电极距离对激光化学电极腐蚀法的影响 |
| 4.4 激光化学诱导液相两步腐蚀法 |
| 4.4.1 基本方法及实验装置 |
| 4.4.2 GaAs直接激光化学腐蚀形成深孔的图像特征 |
| 4.4.3 单边加长腐蚀时间去除单边晶体取向影响 |
| 4.4.4 双边加长腐蚀时间去除双边晶体取向影响 |
| 第五章 激光诱导液相腐蚀应用于器件研制 |
| 5.1 光控YBCO高温超导衰减器 |
| 5.1.1 应用研究背景 |
| 5.1.2 YBCO高温超导薄膜的激光化学辅助刻蚀 |
| 5.1.2.1 YBCO激光化学刻蚀表面的变化特征 |
| 5.1.2.2 无掩膜YBCO激光化学刻蚀程度的区域分布特征 |
| 5.1.2.3 铝酸镧衬底晶向对表面钇钡铜氧薄膜的刻蚀趋向影响 |
| 5.1.3 高温超导衰减器的制作与测试 |
| 5.1.3.1 结构与测试系统 |
| 5.1.3.2 衰减器插入损耗测试 |
| 5.1.3.3 激光功率控制实现高精度衰减量微调 |
| 5.1.3.4 激光热效应影响时长 |
| 5.1.3.5 激光热效应对二次激光激励的影响 |
| 5.1.3.6 激光光斑偏移对光控衰减器的影响 |
| 5.2 圆孔型探测器的设计 |
| 5.2.1 研究需求背景 |
| 5.2.2 圆孔型探测器与其他探测器的结构对比 |
| 5.2.3 圆孔型探测器的制作方法 |
| 5.2.4 圆孔型InP衬底光电探测器的制作方法 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻博期间取得的研究成果 |
| 个人简历 |
（8）阵列化LAPS的结构设计及特性研究（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 传感器设计 |
| 3 测试系统 |
| 4 改进结构的阵列化LAPS对非敏感区域噪声抑制效果的研究 |
| 5 电极位置变化对测量结果的影响 |
| 6 光源强度变化对测量结果的影响 |
| 7 结 论 |
（9）光寻址电位传感器新结构的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微型生物传感器的发展现状 |
| 1.1.1 微电极阵列(MEA) |
| 1.1.2 离子敏场效应管(ISFET) |
| 1.1.3 光寻址电位传感器(LAPS) |
| 1.2 LAPS的研究现状 |
| 1.2.1 LAPS理论方面的研究 |
| 1.2.2 LAPS器件结构的研究 |
| 1.2.3 LAPS的集成化发展 |
| 1.2.4 阵列化LAPS的研究 |
| 1.2.5 LAPS测试方法的研究 |
| 1.3 本论文的主要工作和意义 |
| 第二章 LAPS的工作原理 |
| 2.1 LAPS的一般原理 |
| 2.2 敏感膜/电解质溶液固-液界面电势的理论分析 |
| 2.3 半导体的光学特性和表面电场效应 |
| 2.3.1 半导体的光学特性 |
| 2.3.2 半导体的表面电场效应 |
| 2.4 EIS型LAPS的等效电路模型 |
| 第三章 LAPS的器件设计与封装 |
| 3.1 新结构阵列化LAPS的设计 |
| 3.1.1 阵列化LAPS的发展现状 |
| 3.1.2 新结构阵列化LAPS芯片的工艺流程 |
| 3.2 LAPS的封装 |
| 第四章 LAPS的实验测试与分析 |
| 4.1 LAPS的测试系统 |
| 4.1.1 硬件系统 |
| 4.1.2 软件设计 |
| 4.1.3 LAPS的I-V特性曲线测试过程 |
| 4.2 LAPS的测试原理 |
| 4.2.1 LAPS特性曲线归一化的必要性 |
| 4.2.2 用标准曲线测量溶液的离子浓度 |
| 4.3 LAPS的性能研究 |
| 4.3.1 新结构阵列化LAPS非敏感区域噪声抑制效果的研究 |
| 4.3.2 电极位置变化对测量结果的影响 |
| 4.3.3 光源强度变化对测量结果的影响 |
| 4.3.4 氧化层厚度变化对测量结果的影响 |
| 4.3.5 光源调制频率变化对测量结果的影响 |
| 4.4 新结构阵列化LAPS对pH值的测量 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 5.2.1 新结构阵列化LAPS的进一步深入研究 |
| 5.2.2 LAPS与其它传感器兼容集成的研究 |
| 5.2.3 测试系统的改进意见 |
| 5.2.4 LAPS与测量电路的集成 |
| 5.2.5 等效电路模型的进一步完善 |
| 5.2.6 LAPS的新封装结构 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 硕士研究生期间的科研成果 |
（10）基于正面光激励的LAPS控制和测试系统的研究（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 LAPS控制与测试系统的设计和实现 |
| 2.1 LAPS控制与测试系统框架 |
| 2.2 LAPS芯片 |
| 2.3 流通测量池 |
| 3 LAPS系统性能测试与分析 |
| 3.1 光源照射方式对光电流的影响 |
| 3.2 光电流回路阻抗对光电流的影响 |
| 4 结 论 |
四、基于正面光激励的LAPS控制和测试系统的研究（论文参考文献）
- [1]像素化的钙钛矿晶体材料在X射线平板探测器中的应用研究[D]. 田书凯. 陕西科技大学, 2019(09)
- [2]AlGaN基量子阱结构中的发光偏振特性及调控研究[D]. 张宇. 安徽工程大学, 2018(01)
- [3]超导太赫兹辐射源物性与调控研究[D]. 周宪靖. 南京大学, 2017(08)
- [4]SOI槽隔离光寻址电位传感器设计与研究[J]. 孙颖,朱大中. 浙江大学学报(工学版), 2016(04)
- [5]有机晶体回音廊激光器的制备与特性研究[D]. 卢时洋. 吉林大学, 2014(09)
- [6]菠萝树叶光声层析光谱及其光合作用效率的研究[J]. 列光华,列淦文,何小宁. 安徽农业科学, 2011(12)
- [7]激光腐蚀/刻蚀技术研究[D]. 刘霖. 电子科技大学, 2009(05)
- [8]阵列化LAPS的结构设计及特性研究[J]. 戴春祥,孙颖,朱大中. 固体电子学研究与进展, 2008(04)
- [9]光寻址电位传感器新结构的研究[D]. 戴春祥. 浙江大学, 2008(09)
- [10]基于正面光激励的LAPS控制和测试系统的研究[J]. 顾丽波,韩泾鸿,崔大付,徐磊. 仪器仪表学报, 2004(S1)