一、液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究（论文文献综述）
郜培丽[1]（2021）在《新型磨粒的制备及其在CZT晶体CMP加工中的应用研究》文中研究表明目前,红外探测与高能射线探测在航空、航天、军事国防等战略领域中占据举足轻重的地位。软脆晶体碲锌镉（CZT）因其探测效率高、带隙宽、电阻率高、热稳定性好等诸多优异的物理化学性能,成为了红外焦平面外延衬底和高能射线探测器制备的核心材料。然而CZT晶体独特的易解离特性极大增加了其超精密表面平坦化加工的难度,限制了其应用和发展。为了实现CZT晶片超光滑低损伤的纳米级表面加工,本文根据化学机械抛光（CMP）工艺中磨粒机械磨削和化学试剂腐蚀双重耦合的作用原理,对传统球形实心二氧化硅（sSiO2）磨粒的形貌和结构进行了改性合成和CMP应用研究,并对新型复合磨粒在CMP加工过程中的三体磨损行为及其与化学试剂腐蚀溶解作用相协调的平衡作用机理进行了理论探究和揭示。针对CZT软脆晶体的软脆特性,本文对传统sSiO2磨粒在CMP加工过程中由于小接触面积和弱弹性变形引起的易嵌入、易划损问题,设计并合成了一种新型的具有棒状形貌和精细介孔结构的SiO2（RmSiO2）磨粒,并且磨粒的长径比可控,形貌良好,粒径均匀。此外,本文还对新型RmSiO2磨粒的孔隙结构和力学性能进行了相关的表征和测试,构建了磨粒孔隙结构性质对磨粒弹性变形行为的相关关系,为揭示磨粒在三体磨削体系中的磨削行为奠定基础。通过正交实验和极差分析,探究了磨料质量分数、H2O2体积含量、pH值等抛光液配比因素以及抛光压力、抛光盘转速、抛光液流速等工艺因素对CZT晶体CMP性能的影响规律,提出了CZT晶体CMP加工参数的优化方案以及新型绿色环保抛光液的配制方法。基于提出的新工艺和新抛光液,对新型RmSiO2磨粒进行了CMP性能测试以及结构单改性介孔球形磨粒和传统实心球形磨料的CMP对比试验,探究了形貌和结构双改性、单改性对磨料表面加工性能的优化作用。通过分析RmSiO2磨料在三体磨损体系中的变形滑动摩擦过程,揭示了RmSiO2磨料低犁沟磨损和黏着磨损的材料去除机理。此外,本文还对CMP过程中化学腐蚀机理进行了探究,提出了CMP加工过程中“H2O2氧化—单宁酸刻蚀—单宁酸螯合”的界面反应过程。最后,综合新型RmSiO2磨料的机械磨削作用和抛光液化学成分的化学腐蚀作用过程,提出了磨料弹性去除与化学试剂腐蚀解离互相协同实现软脆材料超精密表面加工的作用机理。
肖钰,张国旗,徐长彬,李春领[2]（2020）在《碲镉汞薄膜分步化学抛光技术研究》文中进行了进一步梳理针对碲镉汞薄膜化学抛光过程中容易产生材料组分均匀性变差、影响芯片性能的现象,提出了一种分步化学抛光技术。材料表面分析和组分分析结果表明,分步化学抛光可以降低材料表面的粗糙度,改善化学抛光材料组分的均匀性,有效地去除材料表面氧化,同时对探测器芯片性能的均匀性提升也做出了一定的贡献。
杨旭东[3]（2020）在《碲纳米棒负载贵金属协同电催化性能的研究》文中研究说明相比于传统的化石能源,可再生能源受到了越来越多的关注。开发直接甲醇燃料电池和电解水产氢技术,是解决能源和环境问题的有效方法。直接甲醇燃料电池作为一种应对未来能源危机的理想装置,在阳极和阴极侧分别发生甲醇氧化反应（Methanol Oxidation Reaction,MOR）和氧气还原反应（Oxygen Reduction Reaction,ORR）。目前,贵金属Pt、Pd材料虽然是有效的MOR催化剂,但是这些催化剂成本高、抗CO毒化能力和稳定性差,严重限制了其在实际中的商业化应用。氢能是一种可再生的高效清洁能源,能量密度高,应用前景广泛。电解水产氢作为一种清洁环保的产氢方式,在生产过程中没有污染物的产生,能够有效地将太阳能、风能、潮汐能等间歇性能源生产的电能转化为化学能。虽然商业Pt/C催化剂依然是公认的高效电解水析氢反应（Hydrogen Evolution Reaction,HER）催化剂,但是Pt的成本高、储量低且稳定性差,严重限制了电解水装置的广泛应用。因此,对于甲醇氧化反应而言,急需要开发高效、稳定、抗CO毒化能力强的的Pt、Pd基催化剂;对于析氢反应,开发低价格、高催化活性和稳定性的析氢反应催化剂是至关重要的。本文旨在构筑高效稳定的催化剂材料,并将其分别应用在直接甲醇燃料电池甲醇氧化反应和电解水析氢反应中,采用简单的微波和水热反应法在尺寸均匀的碲纳米棒上负载不同的贵金属Pt、Pd、Ru。研究内容主要包括以下三部分:（1）Te纳米棒负载贵金属Pt（Pt/Te）催化剂的制备及其对甲醇氧化催化性能的应用研究。首先采用溶剂热法制备尺寸均匀的Te纳米棒,接着采用乙二醇还原法将Pt纳米粒子生长到Te纳米棒上。通过电化学方法对材料进行分析,我们发现Pt/Te催化剂在 0.5 M H2SO4+1.0 M CH3OH 和 1.0 M KOH+1.0 M CH3OH 溶液中,均表现出优异的催化活性、抗CO毒化能力和稳定性。根据d带中心理论和双功能催化机制,亲氧特性的Te促进了水的活化,为氧化去除CO中间体提供更多的含氧物种,并且Pt与Te之间的协同效应有效地促进了富电子Pt表面的形成,削弱催化剂对CO毒化物种的吸附能力,提高电化学反应过程中的电荷转移速率,进而提高了催化剂的醇类电氧化性能。（2）Te纳米棒负载贵金属Pd（Pd/Te）催化剂的制备及其对甲醇氧化催化性能的应用研究。采用乙二醇还原法将Pd纳米粒子还原生长到尺寸均匀的Te纳米棒上,得到Pd/Te催化剂。通过物理表征和电化学测试,我们可以发现Pd/Te催化剂的纳米棒形貌得到了很好地保持,并且在碱性环境中表现出优异的甲醇电氧化活性、稳定性和抗CO毒化能力。催化剂表现出优异的催化性能,可能是因为Pd活性位点周围的电子排列进行了重排。Pd和Te的协同效应导致Pd0的含量增多和促进富电子Pd表面的形成,加速了 CO毒化中间体的氧化。（3）Te纳米棒负载贵金属Ru（Te@Ru）催化剂的制备及其对电解水产氢催化性能的应用研究。通过两步水热还原法制备以Te纳米棒为核,金属Ru纳米层为壳的复合材料。在0.5 M H2SO4溶液中,Te@Ru催化剂表现出优异的析氢性能,在达到电流密度10 mA cm-2时所需要的过电位（86 mV）,远远低于自制Ru催化剂所需要的过电位（130 mV）。通过对比材料的比活性和周转频率,我们发现Te@Ru具有最好的本征活性,这可能是因为独特的核壳结构和催化剂体系中金属Ru与半金属性质Te之间的协同效应。均匀负载的金属Ru层可以暴露更多有效的活性中心,进而有效地提高了催化反应效率。
宋亚星[4]（2014）在《软脆碲镉汞晶体绿色环保化学机械抛光研究》文中研究说明软脆碲镉汞晶体是第三代半导体材料的典型代表,有着优良的光电特性,广泛应用于红外探测领域,尤其是在航空航天、军事、国民经济等诸多重要领域。然而,超光滑低／无操作加工表面是碲镉汞晶片成为高性能红外器件的前提条件。碲镉汞晶体是一种软脆晶体,加工方法既不同于传统的塑性材料铜、钢,又异于传统的硬脆晶体硅、锗、砷化镓,是一种典型的难加工材料。针对它的超精密加工方法目前主要有超精密磨削、超精密切削以及化学机械抛光。超精密磨削和切削加工对于实验设备精度要求高,并且加工精度不如化学机械抛光。传统的化学机械抛光方法加工碲镉汞晶体多采用游离磨料研磨,容易导致游离磨粒嵌入、崩边等加工缺陷,随后的化学机械抛光和腐蚀剂多含有溴、甲醇、乳酸、硝酸等等化学试剂,在最终的清洗过程中要用到有机溶剂,这些试剂对于环境和实验操作者来说都具有潜在的危害。基于碲镉汞晶体的重要性及传统加工方法加工软脆碲镉汞晶片的缺点,本文在碲镉汞晶体衬底碲锌镉的研究工作基础上,将碲镉汞晶体的化学机械抛光工艺及机理作为主要的研究内容。我们提出了固结磨料研磨与新型绿色环保抛光液化学机械抛光相结合的软脆碲镉汞晶体加工的新方法。固结磨料研磨有效避免了传统游离磨料嵌入、崩边等问题；研制的绿色环保抛光液主要含有双氧水和硅溶胶,采用苹果酸作为pH调节剂,有效的避免了传统抛光液配制及使用过程中采用有毒及非环保化学试剂对环境及实验操作者的潜在危害,并且有效的提高了材料去除率；在后续清洗过程中我们使用去离子水清洗晶片表面并用压缩空气吹干,清洗工艺对环境及操作者无害。通过固结磨料研磨及绿色环保化学机械抛光这两道工艺,我们最终获得了超光滑低/无损伤的加工表面,表面粗糙度Ra可达0.5nm,小于先前研究中的1.4nm。在碲镉汞晶体化学机械抛光及材料去除率工作基础上,我们建立了一个材料去除率模型用来分析压力、转速、磨粒尺寸等因素对于材料去除率的影响,并使用X射线光电子能谱仪（XPS）及电化学工作站来研究碲镉汞晶体与抛光液间的相互作用,对碲镉汞晶体化学机械抛光机理进行了研究。
徐鹏霄[5]（2014）在《HgCdTe表面/界面光电特性研究》文中指出化合物半导体材料Hg1-xCdxTe凭借其禁带宽度可调、波段覆盖整个红外波段、量子效率高等优点，已成为红外探测器制备最主要的材料。但是碲镉汞材料禁带宽度窄，晶体结构中的Hg-Te键较弱，汞原子易逸出，因而制备出的碲镉汞探测器受材料表面影响严重，甚至很大程度上决定了探测器的光电性能，目前最常用的解决方法就是表面钝化。本文就以此作为切入点，以进一步提高碲镉汞探测器（主要针对光导型探测器）性能为目的，对碲镉汞材料表面、碲镉汞/钝化膜界面以及碲镉汞表面微光学元件进行了比较深入的研究。首先引入碲镉汞表面控制器件─“栅控结构”光导探测器来模拟探测器表面/界面状态对器件光电性能的影响，通过外加栅压施加的电场实现对碲镉汞表面载流子浓度、迁移率以及材料有效少数载流子寿命的定量连续控制。基于表面层的多层分布模型，建立了全面系统的栅控光导探测器的物理模型，在对n型碲镉汞长波光导探测器进行仿真后发现，传统阳极氧化层/ZnS双层钝化的组合会造成HgCdTe表面载流子的过积累，在提高少子寿命的同时也会降低器件的表面电阻，结果反而会造成探测器性能的下降，传统光导探测器性能还有改进的空间。为了进一步研究碲镉汞的表面钝化，针对目前两种最常用的ZnS薄膜生长方法，热蒸发法和磁控溅射法，对两种方法生长在n型HgCdTe材料上的ZnS钝化膜进行表征与评价，分别采用SEM、EDX、XRD以及FTIR对两种ZnS钝化膜的形貌、元素组分、晶体结构以及光学性能进行了测试研究。通过MIS器件来研究不同双层钝化膜系与HgCdTe界面的电学特性，分别制备了阳极氧化膜/ZnS（热蒸发）、阳极氧化膜/ZnS（磁控溅射）和CdTe/ZnS（热蒸发）三种钝化膜系作为绝缘层的n-HgCdTe MIS器件，自主搭建了低温探针台I-V测试系统和变温C-V测试系统，热蒸发法生长的ZnS介质膜绝缘的零偏暗电流达10-13A，采用磁控溅射生长的ZnS介质膜漏电流大，易击穿。C-V测试结果得到这三种双层钝化膜系的固定电荷密度分别在1.091012cm-2、1.211012cm-2和-3.01011cm-2左右，慢界面密度分别为Nh=1.271010cm-2eV-1、1.321010cm-2eV-1和Nh=1.071011cm-2eV-1。阳极氧化膜/ZnS（热蒸发）双层钝化膜的测试中从4MHz开始还观察到了高频C-V特性，其快界面态密度为4.21011cm-2eV-1。基于器件仿真和钝化膜的研究结果，成功制备出了Cd组分x=0.23的n-Hg1-xCdxTe栅控结构长波光导探测器，器件的SdH振荡测试得到器件表面电子面密度在1.931012cm-2，实验上证明了HgCdTe表面载流子重积累现象的存在。利用改进的栅控光导器件测试系统对外加不同栅压条件下栅控器件的光电性能进行测试，信号电压和响应率性能的变化一致，器件的峰值响应率792.7V/W在-8.4V处取得，在浮栅条件下的响应率只有498.5V/W，传统器件工作条件并未将器件的最大性能发挥出来。通过噪声测试与器件仿真发现，栅控器件外加栅压后引入的附加器件噪声与表面载流子的浓度变化有关，进一步对器件作噪声频谱的测试，研究发现栅控器件的附加噪声主要来源于碲镉汞表面载流子数涨落引起的非基本1/f噪声。最后，对在HgCdTe器件表面制备单片集成式微型透镜的工艺进行了初步摸索，提出了一种利用ICP-RIE干法刻蚀结合化学湿法腐蚀在CdZnTe衬底上制备折射型微透镜的方法，成功在CdZnTe衬底上制备了冠高达60μm的连续深浮雕折射型微透镜线列，透镜曲率半径均匀、冠高高、F数小，对红外光具有很强的会聚作用，并且与探测器芯片工艺兼容性好。
何波,马忠权,史衍丽,徐静,赵磊,李凤,沈成,沈玲[6]（2009）在《HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究》文中进行了进一步梳理报道了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱（XPS）的研究及结果。系统地介绍了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,B r2-CH3OH与HgCdT e化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdT e光伏器件电学特性的影响。
何波[7]（2007）在《离子束刻蚀HgCdTe环孔光电二极管及MIS器件研究》文中研究指明Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物Hg1-xCdxTe材料，随着材料组分变化，它的带隙在-0.3eV～1.6eV的范围内变化。覆盖了大气窗口1～3μm，3～5μm，8～14μm三个重要红外波段。这种材料在红外成像、污染监测、工业控制等方面有重要的实用价值。离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结是一种新型HgCdTe红外探测器，具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、成本低、易于集成，适用于制作长线列和高密度的二维列阵等优点。本学位论文对离子束刻蚀HgCdTe环孔光电二极管I—V、RD—V及HgCdTeMIS器件C—V特性进行了计算研究，并结合X射线光电子能谱（XPS）对MIS器件界面化学结构进行分析，取得如下结果：1．推导了一种简便、准确、直观计算、分析pn结I—V特性的公式、方法，应用该方法对多个HgCdTe环孔pn结的I—V、RD—V特性进行计算、拟合；得到表面欧姆（反型沟道）漏电导、二极管理想因子n随电压的分布、dI／dV-V曲线等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明，对长波HgCdTe光伏器件，表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大，表面漏电严重地制约着器件性能。HgCdTe材料晶体缺陷会使二极管理想因子n增大，产生—复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。2．由离子束刻蚀HgCdTe pn结C—V曲线，判定其为线性缓变结：由1／C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程（零偏压时耗尽层宽度作为边界条件）积分计算出电场分布、电势分布等重要结特性。并且进一步分析了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程。3．介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性（包括高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布）的基本原理和步骤。利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。计算结果表明，阳极硫化+ZnS钝化层固定电荷密度约为7.6×1010／cm2（低于HgCdTe自身阳极氧化膜，但高于CdTe+ZnS复合钝化膜）、衬底杂质浓度剖面分布（近表面处，多子和界面态影响不应忽略）、界面态密度的能量分布(最小界面态密度1×1012cm-2 eV-1，位于带隙中央)及较低的慢态密度(7×1010／cm2)。各项性能指标均明显优于HgCdTe自身阳极氧化膜，基本接近CdTe／ZnS复合钝化结构水平，已能满足HgCdTe光伏探测器表面钝化的要求；是一种成熟的HgCdTe焦平面阵列钝化方法。4．用X射线光电子能谱（XPS）研究了阳极硫化+ZnS钝化层界面化学结构。结果表明，阳极硫化膜主要成分是CdS。在化学机械抛光过程中，由于Br2-CH3OH与HgCdTe中各元素反应速率是各向异性的，会使表面富Te、缺Hg、Cd，生成TeO2，并且表面形貌比较粗糙。导致界面态密度增加，钝化层趋于带固定正电荷，易使p型HgCdTe衬底耗尽甚至反型，表面漏电流增加。
李毅,易新建,蔡丽萍[8]（2000）在《液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究》文中进行了进一步梳理利用Ｘ 射线光电子谱对液相外延ＨｇＣｄＴｅ 薄膜表面氧化特性进行了研究，对经不同工艺过程处理的ＨｇＣｄＴｅ表面进行了测量、分析，结果表明碲镉汞表面经溴无水乙醇溶液腐蚀后，再用乳酸乙二醇溶液对表面进行处理，可获得氧化物极少甚至无氧化的ＨｇＣｄＴｅ 表面．说明ＨｇＣｄＴｅ 表面钝化前的预处理直接影响钝化层／ＨｇＣｄＴｅ 的界面特性
二、液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究（论文提纲范文）
（1）新型磨粒的制备及其在CZT晶体CMP加工中的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题来源 |
| 1.2 论文的研究背景和意义 |
| 1.3 CZT晶体的超精密表面加工现状 |
| 1.3.1 CZT晶体的传统精密表面加工方法 |
| 1.3.2 CZT晶体的CMP超精密表面加工技术 |
| 1.4 新型磨粒的制备及其在CMP加工中的应用研究 |
| 1.4.1 磨粒形貌改进的研究现状 |
| 1.4.2 磨粒结构改进的研究现状 |
| 1.4.3 磨粒表面化学状态改性的研究现状 |
| 1.5 本文研究的主要内容 |
| 2 磨粒的合成和CMP应用研究中所使用实验试剂和表征方法 |
| 2.1 新型磨粒类型及其合成方法的确定 |
| 2.1.1 磨粒类型的选择 |
| 2.1.2 磨粒合成方法的选择 |
| 2.2 抛光液组分的选择 |
| 2.2.1 氧化剂种类的选择 |
| 2.2.2 pH调节剂种类的选择 |
| 2.2.3 分散剂种类的选择 |
| 2.3 实验试剂 |
| 2.3.1 新型磨粒合成和表征所使用的实验试剂 |
| 2.3.2 CZT晶体CMP试验所需要的实验试剂 |
| 2.4 实验设备 |
| 2.4.1 新型磨料合成所使用的实验设备 |
| 2.4.2 新型磨料形貌和结构表征所使用的实验设备及其工作原理 |
| 2.4.3 CZT晶体CMP试验所使用的实验设备 |
| 2.4.4 CZT晶体CMP试验后CMP性能表征所使用的设备及其工作原理 |
| 2.4.5 CMP化学作用机理研究所使用的设备及其工作原理 |
| 2.5 本章小节 |
| 3 新型磨料的制备及其形貌、结构和机械性能表征 |
| 3.1 RmSiO_2、mSiO_2、以及sSiO_2磨料的合成及其形貌表征 |
| 3.1.1 RmSiO_2磨料的合成调控及其形貌表征 |
| 3.1.2 mSiO_2磨料的合成及其形貌表征 |
| 3.1.3 sSiO_2磨料的合成及其形貌表征 |
| 3.2 多孔磨料的孔隙结构表征及其对机械性能的影响分析 |
| 3.2.1 RmSiO_2磨料的孔分布表征 |
| 3.2.2 RmSiO_2磨料的孔径、孔容及比表面积表征 |
| 3.2.3 RmSiO_2磨料的孔有序性表征 |
| 3.2.4 mSiO_2磨料的孔隙结构表征 |
| 3.3 RmSiO_2和sSiO_2磨粒的AFM纳米压缩试验和弹性模量测量 |
| 3.3.1 AFM纳米压缩试验前的制样过程 |
| 3.3.2 不同结构SiO_2磨粒的AFM纳米压痕试验 |
| 3.3.3 不同结构SiO_2磨粒的弹性模量计算 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 CZT晶体CMP加工抛光液配比和工艺参数的优化 |
| 4.1 CMP试验过程与试验结果的表征 |
| 4.1.1 CMP试验过程 |
| 4.1.2 CMP试验后CZT基底加工性能的表征方法 |
| 4.2 CMP加工正交试验的设计和结果分析 |
| 4.2.1 正交试验的设计 |
| 4.2.2 正交试验的结果分析方法 |
| 4.3 正交试验的表征结果分析及CMP试验优化方案的确定 |
| 4.3.1 CMP参数优化试验的表征结果及其作用机理分析 |
| 4.3.2 CMP加工优化参数方案的确定 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 新型磨粒的CMP性能评价和化学机械作用机理分析 |
| 5.1 新型磨粒的CMP试验性能评价和机械机理分析 |
| 5.1.1 CZT晶体表面的形貌和粗糙度分析 |
| 5.1.2 CZT晶体的材料去除速率分析 |
| 5.1.3 RmSiO_2-1 磨粒的CMP性能稳定性测试 |
| 5.2 磨料在CMP三体磨损体系中的作用机理分析 |
| 5.2.1 介孔结构磨粒的弹性变形能力对磨料犁沟磨损的影响 |
| 5.2.2 磨料与基底变形接触对黏着磨损的影响 |
| 5.2.3 磨粒的形貌和结构对磨粒与CZT基底间接触状态的影响 |
| 5.2.4 磨料的棒状形貌对其运动模式的影响 |
| 5.2.5 磨粒的介孔结构储液能力对腐蚀磨损的影响 |
| 5.3 CZT晶体CMP加工过程中的化学机理分析 |
| 5.3.1 抛光液中各化学成分对CZT晶体的腐蚀性分析 |
| 5.3.2 抛光液中各化学成分与CZT晶体的界面化学反应分析 |
| 5.3.3 抛光液中单宁酸与游离金属离子的螯合机理分析 |
| 5.4 本章小节 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
（2）碲镉汞薄膜分步化学抛光技术研究（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 试 验 |
| 3 结果与分析 |
| 3.1 材料表面粗糙度 |
| 3.2 材料表面组分 |
| 3.3 探测器芯片性能 |
| 4 结 论 |
（3）碲纳米棒负载贵金属协同电催化性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 符号说明 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 直接甲醇燃料电池简介 |
| 1.2.1 直接甲醇燃料电池的工作原理 |
| 1.2.2 甲醇氧化的反应机理 |
| 1.2.3 甲醇氧化催化剂的研究进展 |
| 1.3 电催化分解水概述 |
| 1.3.1 电催化分解水的工作原理 |
| 1.3.2 析氢反应的原理 |
| 1.3.3 析氢催化剂的研究进展 |
| 1.4 本文的研究目的和研究内容 |
| 1.4.1 研究目的 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 第2章 本论文中材料的研究方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 材料的物理测试与表征 |
| 2.2.1 透射电子显微镜 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱仪 |
| 2.2.4 粉末X-射线衍射仪 |
| 2.2.5 电感耦合等离子体光谱仪 |
| 2.2.6 显微拉曼成像光谱仪 |
| 2.3 材料的电化学测试 |
| 2.3.1 工作电极的制备 |
| 2.3.2 材料的甲醇电氧化测试 |
| 2.3.3 材料的析氢测试 |
| 第3章 碲纳米棒负载贵金属铂催化剂对甲醇氧化催化性能的应用研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验试剂和仪器 |
| 3.2.2 催化剂的合成 |
| 3.3 材料的物理性能及表征 |
| 3.4 材料对甲醇氧化催化性能的应用研究 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 碲纳米棒负载贵金属钯催化剂对甲醇氧化催化性能的应用研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验试剂和仪器 |
| 4.2.2 催化剂的合成 |
| 4.3 材料的物理性能及表征 |
| 4.4 材料对甲醇氧化催化性能的应用研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 碲纳米棒负载贵金属钌对电解水产氢催化性能的应用研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验试剂和仪器 |
| 5.2.3 催化剂的合成 |
| 5.3 材料的物理性能及表征 |
| 5.4 材料对电解水产氢催化性能的应用研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 结语 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（4）软脆碲镉汞晶体绿色环保化学机械抛光研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 1.1 论文选题背景 |
| 1.2 MCT晶体的性质及其超精密加工研究现状 |
| 1.2.1 MCT晶体的特性及其制备方法 |
| 1.2.2 MCT晶体超精密加工的研究进展 |
| 1.3 课题的研究目的与重要意义 |
| 1.4 课题的来源及本文的研究内容 |
| 1.4.1 课题来源 |
| 1.4.2 主要研究内容 |
| 2 绿色环保抛光液的研制及MCT晶体的化学机械抛光 |
| 2.1 绿色环保抛光液对MCT晶体进行化学机械抛光可行性分析 |
| 2.1.1 Ⅱ-Ⅵ族软脆晶体碲镉汞及碲锌镉的组成分析 |
| 2.1.2 CZT晶体的绿色环保化学机械抛光工艺 |
| 2.1.3 小结 |
| 2.2 绿色环保抛光液的研制 |
| 2.2.1 抛光液中氧化剂的选择 |
| 2.2.2 抛光液中磨粒的选择 |
| 2.2.3 抛光液酸碱性的确定及添加剂的选择 |
| 2.3 MCT晶体的化学机械抛光 |
| 2.3.1 MCT晶体的研磨 |
| 2.3.2 MCT晶体的化学机械抛光 |
| 2.3.3 小结 |
| 3 材料去除率研究 |
| 3.1 材料去除率影响因素理论分析 |
| 3.1.1 基于宏观连续性理论的材料去除率模型 |
| 3.1.2 基于分子量级的材料去除率模型 |
| 3.1.3 小结 |
| 3.2 材料去除率的影响因素的实验研究 |
| 3.2.1 材料去除率模型 |
| 3.2.2 材料去除率的实验准备 |
| 3.2.3 抛光垫、磨粒尺寸、转速及压力对材料去除率的影响 |
| 3.2.4 双氧水浓度、苹果酸浓度及抛光液供给量对材料去除率的影响 |
| 4 MCT晶体化学机械抛光的抛光机理研究 |
| 4.1 电化学实验 |
| 4.1.1 三电极测量体系构成 |
| 4.1.2 MCT晶体电极的电化学实验 |
| 4.1.3 小结 |
| 4.2 XPS实验原理及样品制备 |
| 4.2.1 XPS实验原理 |
| 4.2.2 XPS样品制备 |
| 4.3 XPS实验数据分析 |
| 4.3.1 四组样品的XPS全谱扫描和Ols分峰拟合图谱对比 |
| 4.3.2 MCT经抛光液腐蚀后所得XPS谱线 |
| 4.3.3 MCT经优化工艺下加工后所得XPS谱线 |
| 4.3.4 小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
（5）HgCdTe表面/界面光电特性研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 引言 |
| 1.1 HgCdTe 红外光电探测器的发展历程 |
| 1.2 HgCdTe 光导探测器的工作机理及研究现状 |
| 1.2.1 光导探测器的工作机理 |
| 1.2.2 光导探测器的研究现状 |
| 1.3 常见表面钝化方法 |
| 1.3.1 自身生长的钝化膜 |
| 1.3.2 介质钝化膜 |
| 1.4 HgCdTe 材料表面/界面的研究方法 |
| 1.5 研究内容与论文安排 |
| 2 HgCdTe 表面控制器件—“栅控结构”光导探测器的建模与仿真 |
| 2.1 栅控器件简介 |
| 2.2 栅控光导探测器物理模型 |
| 2.2.1 光导探测器响应率模型修正 |
| 2.2.2 少数载流子寿命模型 |
| 2.2.3 表面电阻模型 |
| 2.2.4 栅控器件模型 |
| 2.3 HgCdTe 器件电学参数提取 |
| 2.3.1 霍尔测试 |
| 2.3.2 少子寿命测试 |
| 2.3.3 钝化膜固定电荷密度 |
| 2.4 栅控器件仿真结果与讨论 |
| 2.4.1 Matlab 仿真代码 |
| 2.4.2 仿真结果与讨论 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 不同方法在 n-HgCdTe 表面沉积 ZnS 钝化膜的物理特性研究 |
| 3.1 生长方法 |
| 3.1.1 真空热蒸发法原理 |
| 3.1.2 磁控溅射法原理 |
| 3.2 ZnS 钝化膜在 HgCdTe 材料上的制备 |
| 3.3 钝化膜物理特性与光学性能表征测试与讨论 |
| 3.3.1 表面/截面形貌 |
| 3.3.2 光学性能 |
| 3.3.3 晶体结构 |
| 3.3.4 元素组分 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 阳极氧化膜/CdTe/ZnS 与 HgCdTe 界面电学特性研究 |
| 4.1 MIS 器件理论及其 C-V 特性 |
| 4.1.1 MIS 器件经典理论 |
| 4.1.2 实际情况下 HgCdTe MIS 器件的 C-V 特性 |
| 4.2 HgCdTe MIS 器件的制备 |
| 4.2.1 阳极氧化膜/ZnS 双层钝化 |
| 4.2.2 CdTe/ZnS 双层钝化 |
| 4.3 低温探针台 I-V 测试系统与变温 C-V 测试系统搭建 |
| 4.3.1 低温探针台 I-V 测试系统 |
| 4.3.2 变温 C-V 测试系统 |
| 4.4 不同钝化膜系 MIS 器件测试结果与电学特性分析 |
| 4.4.1 阳极氧化膜/热蒸发 ZnS |
| 4.4.2 阳极氧化膜/磁控溅射 ZnS |
| 4.4.3 CdTe/ZnS（热蒸发法） |
| 4.5 本章小结 |
| 5 栅控结构 HgCdTe 长波光导探测器的制备与测试 |
| 5.1 HgCdTe 栅控长波光导器件的结构设计 |
| 5.2 器件制备的工艺过程及关键工艺研究 |
| 5.2.1 器件制备 |
| 5.2.2 透明栅电极研究 |
| 5.3 器件性能测试与讨论 |
| 5.3.1 Shubnikov-de Haas(SdH) 振荡测试 |
| 5.3.2 性能测试结果与分析 |
| 5.4 栅控器件低频噪声特性研究 |
| 5.4.1 器件噪声理论 |
| 5.4.2 栅控光导器件噪声测试系统 |
| 5.4.3 噪声测试结果与分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 基于 HgCdTe 探测器衬底材料 CdZnTe 的微透镜研制 |
| 6.1 微透镜简介 |
| 6.2 CdZnTe 的 ICP-RIE 刻蚀工艺研究 |
| 6.2.1 ICP-RIE 刻蚀技术 |
| 6.2.2 CdZnTe 材料的 ICP-RIE 刻蚀原理 |
| 6.2.3 实验设计与刻蚀结果分析 |
| 6.3 微透镜制备方法与过程 |
| 6.4 CdZnTe 微透镜测试与讨论 |
| 6.4.1 表面形貌与轮廓 |
| 6.4.2 光学性能 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 全文总结与展望 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（6）HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 实 验 |
| 2 结果分析与讨论 |
| 3 结 论 |
（7）离子束刻蚀HgCdTe环孔光电二极管及MIS器件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 红外探测器及红外制导简介 |
| 1.2 红外探测器的分类 |
| 1.2.1 光子探测器 |
| 1.2.2 热探测器 |
| 1.3 红外探测器的性能参数 |
| 1.3.1 响应率 |
| 1.3.2 结电阻 |
| 1.3.3 量子效率 |
| 1.3.4 时间常数 |
| 1.3.5 噪声等效功率 |
| 1.3.6 探测率和比探测率 |
| 1.4 碲镉汞材料及红外探测器 |
| 1.4.1 碲镉汞材料生长简介 |
| 1.4.2 碲镉汞红外探测器简介 |
| 1.4.3 展望 |
| 1.5 本文的工作和意义 |
| 第二章 离子束刻蚀碲镉汞环孔PN结I-V、R_D-V特性的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 光伏理论及I—V特性 |
| 2.3.碲镉汞环孔PN结I—V特性研究 |
| 2.3.1 材料生长和器件制备 |
| 2.3.2 实验结果分析 |
| 2.4.本章小结 |
| 第三章 碲镉汞MIS器件的制备及其界面电学特性的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 表面感生电荷层 |
| 3.1.2 耗尽情形 |
| 3.1.3 反型情型 |
| 3.1.4 MIS电容 |
| 3.1.5 理想MIS结构的C-V特性 |
| 3.1.6 实际MIS结构的C—V特性 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 MIS器件的制备 |
| 3.2.2 MIS器件的C-V特性测量 |
| 3.3 结果与讨论(界面电学特性研究) |
| 3.3.1 MISC-V曲线的串联电阻修正 |
| 3.2.2 钝化层固定电荷密度N_F |
| 3.2.3 MIS结构衬底杂质浓度分布 |
| 3.2.4 界面态密度的能量分布 |
| 3.2.5 慢界面态密度N_h |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 碲镉汞MIS器件界面化学结构的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 半导体表面研究方法 |
| 4.1.2 X射线光电子能谱基本原理 |
| 4.2 实验 |
| 4.3 结果分析与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 附录A C-V法测量PN结杂质浓度分布的基本原理及应用 |
| 附录B 硕士论文期间发表文章 |
| 参考文献 |
四、液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究（论文参考文献）
- [1]新型磨粒的制备及其在CZT晶体CMP加工中的应用研究[D]. 郜培丽. 大连理工大学, 2021(01)
- [2]碲镉汞薄膜分步化学抛光技术研究[J]. 肖钰,张国旗,徐长彬,李春领. 激光与红外, 2020(06)
- [3]碲纳米棒负载贵金属协同电催化性能的研究[D]. 杨旭东. 扬州大学, 2020(04)
- [4]软脆碲镉汞晶体绿色环保化学机械抛光研究[D]. 宋亚星. 大连理工大学, 2014(07)
- [5]HgCdTe表面/界面光电特性研究[D]. 徐鹏霄. 中国科学院研究生院（上海技术物理研究所）, 2014(01)
- [6]HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究[J]. 何波,马忠权,史衍丽,徐静,赵磊,李凤,沈成,沈玲. 光电子技术, 2009(02)
- [7]离子束刻蚀HgCdTe环孔光电二极管及MIS器件研究[D]. 何波. 昆明理工大学, 2007(05)
- [8]液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究[J]. 李毅,易新建,蔡丽萍. 物理学报, 2000(01)